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| 基于InAsGaSb 二类超晶格的新型红外探测器研究 学位论文 工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 鄢绍龙![](/image/person.jpg)
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| 氧化限制型VCSEL横向模式控制及可调性研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 邵泓焰
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄添懋 ; 陈诺夫; 张兴旺 ; 白一鸣; 尹志岗 ; 施辉伟 ; 张汉 ; 汪宇 ; 王彦硕; 杨晓丽![](/image/person.jpg)
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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910078559.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋 ; 陈晓峰; 张汉![](/image/person.jpg)
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭严; 宋华平 ; 郑高林; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟 ; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇 ; 张汉![](/image/person.jpg)
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