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硅基垂直纳米线结构热电器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王珍
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Si纳米线  Si-ge核壳结构纳米线  热电优值  塞贝克系数  热导率  
基于核壳结构的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  王珍;  祁洋洋;  张明亮;  王晓东;  季安;  杨富华
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基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  祁洋洋;  张明亮;  王珍;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：856/81  |  提交时间：2014/11/24
面向片上集成的热电器件制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-15
发明人:  王珍;  祁洋洋;  张明亮;  杨富华;  王晓东
Adobe PDF(1189Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：947/70  |  提交时间：2014/11/05
基于纳米线的平面热电器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  祁洋洋;  张明亮;  王珍;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：674/83  |  提交时间：2014/12/25