基于纳米线的平面热电器件的制备方法 | |
祁洋洋; 张明亮; 王珍; 王晓东; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-07-02 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2014-04-18 |
Application Number | CN201410155903.7 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25806 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 祁洋洋,张明亮,王珍,等. 基于纳米线的平面热电器件的制备方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
基于纳米线的平面热电器件的制备方法.pd(1106KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment