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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, J (Yang Jun);  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YW (Zhao You-Wen);  Miao, SS (Miao Shan-Shan);  Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan);  Lue, XH (Lue Xiao-Hong);  Deng, AH (Deng Ai-Hong);  Yang, J (Yang Jun);  Wang, B (Wang Bo);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(191Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：884/248  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B (Wang Bo);  Zhao YW (Zhao You-Wen);  Dong ZY (Dong Zhi-Yuan);  Deng AH (Deng Ai-Hong);  Miao SS (Miao Shan-Shan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Dept Appl Phys, Chengdu 610065, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  彭继迎;  檀慧明;  钱龙生;  柴路;  张志刚;  王清月;  林涛;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王志路;  孙宝权
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  王春霞;  杜伟;  赵致民;  胡海洋;  宋倩;  鲁琳;  阚强;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  王春霞;  宋倩;  杜伟;  胡海洋;  赵致民;  鲁琳;  阚强;  陈弘达
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1055/327  |  提交时间：2010/11/23