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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [2]
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2003 [2]
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收录类别:CPCI\-S
出处:MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4)
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure
The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yang L
;
Liu YL
;
Wang QM
;
Shi HZ
;
Li GH
;
Zhang LD
;
Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(111Kb)
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浏览/下载:1279/257
  |  
提交时间:2010/11/15
Ag/sio2 Nanocomposite Film
Plasmon Resonance Absorption
Mie Theory
Surface Resonance State
Quantum Size Effect
Image-potential States
Optical-properties
Surfaces
Lifetimes
Particles
Electron
Ag