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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明
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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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| 一种光电分离的太阳能电池背反射器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162344.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇; 彭文博; 谢小兵; 姚文杰; 王超
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 姚文杰; 曾湘波; 彭文博; 刘石勇; 谢小兵; 王超; 杨萍
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| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
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