Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 | |
任芸芸; 徐波 ; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
| |
| 2008-12-03 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-05-31 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN200710099863.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4247 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任芸芸,徐波,周惠英,等. 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法[P]. 2008-12-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200710099863.9.pdf（298KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [任芸芸]的文章 |
| [徐波]的文章 |
| [周惠英]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [任芸芸]的文章 |
| [徐波]的文章 |
| [周惠英]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [任芸芸]的文章 |
| [徐波]的文章 |
| [周惠英]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论