SEMI OpenIR
HfO2铁电层和硅纳米线的缺陷性质研究
张才鑫
学位类型博士后
2024-05
学位授予单位中国科学院大学
学位授予地点中国科学院半导体研究所
语种中文
公开日期2024-06
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31854
专题中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张才鑫. HfO2铁电层和硅纳米线的缺陷性质研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2024.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
GK2024151-博士后出站报告-张才(4697KB)学位论文 限制开放CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[张才鑫]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[张才鑫]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[张才鑫]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。