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HfO2铁电层和硅纳米线的缺陷性质研究 | |
张才鑫 | |
Subtype | 博士后 |
2024-05 | |
Degree Grantor | 中国科学院大学 |
Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
Language | 中文 |
Date Available | 2024-06 |
Document Type | 学位论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31854 |
Collection | 中国科学院半导体研究所 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张才鑫. HfO2铁电层和硅纳米线的缺陷性质研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2024. |
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GK2024151-博士后出站报告-张才(4697KB) | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text |
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