| 4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发 | |
| 郭志煜 | |
| Subtype | 博士 |
| 2022-06 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2022-06 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31084 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭志煜. 4H-SiC UMOSFETs 器件设计与关键工艺研发[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2022. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| GK2022114-博士-集成中心-郭志（10262KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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