| 6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 | |
徐健凯
| |
| Subtype | 博士 |
| 2021-06 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2021-06 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30342 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 徐健凯. 6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2021. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2021118-公开-博士-材料重点-徐（19736KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment