| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 | |
周媛
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| Subtype | 硕士 |
| 2021-05 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2021-05 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30322 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周媛. 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2021. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2021008-公开-硕士-周媛-材料重（5304KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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