| 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究 | |
| 彭莉媛 | |
| Subtype | 博士 |
| 2021-06 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 中国科学院半导体研究所 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2021-06 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30243 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 彭莉媛. 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2021. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 2021081-公开-博士-光电研发-彭（129055KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | ||
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