| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 | |
| 余丁 | |
| 学位类型 | 硕士 |
| 2019-06 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28884 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余丁. GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2019. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 2009007-余丁-硕士-GaSb原生（3273KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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