| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 | |
| 刘炜 | |
| 学位类型 | 博士后 |
| 导师 | 谭平恒 ; 赵德刚 |
| 2018-06-04 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 关键词 | Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| 学科领域 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-06-20 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28647 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘炜. InGaN量子阱及薄膜材料特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2018. |
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