| AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 | |
郝美兰
| |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 王占国 |
| 2016-06-02 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2018-06-14 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28546 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郝美兰. AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 郝美兰--毕业论文.pdf（13279KB） | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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