反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 | |
黄文军 | |
Subtype | 博士 |
Thesis Advisor | 马文全 |
2018-05-24 | |
Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
Place of Conferral | 北京 |
Degree Discipline | 物理电子学 |
Keyword | Inas/gasb二类超晶格 反转型量子阱结构 电子迁移率 异质结光电晶体管 双色 |
Subject Area | 光电子学 |
Date Available | 2018-05-28 |
Document Type | 学位论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28360 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 黄文军. 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2018. |
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