| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 | |
李稚博
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| Subtype | 博士后 |
| Thesis Advisor | 潘教青 |
| 2017-12 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 电子科技与技术 |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2018-01-03 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28262 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李稚博. 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
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| 出站报告-李稚博-基于SOI衬底InGa（4505KB） | 学位论文 | 终版 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | Application Full Text | |
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