| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 | |
| 李巍 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 王晓亮 |
| 2017-06-01 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | 氮化镓 铟铝氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 电流崩塌 |
| Date Available | 2017-06-05 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28224 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李巍. 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
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| 博士学位论文终版-李巍-2017.6.5（3778KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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