氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | |
王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
Date Available | 2016-09-28 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2015-01-06 |
Application Number | CN201520005486.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27622 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,李巍,李百泉,等. 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构. |
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结(431KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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