| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | |
| 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-28 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2015-01-06 |
| Application Number | CN201520005486.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27622 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,李巍,李百泉,等. 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结（431KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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