| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 | |
| 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-28 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2015-01-12 |
| Application Number | CN201510012713.4 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27617 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨涛,高凤,罗帅,等. 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 制作宽光谱砷化铟-磷化铟量子点激光器有源（531KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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