| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 | |
| 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-28 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2015-01-22 |
| Application Number | CN201510032621.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27604 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘胜北,何志,刘斌,等. 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤（568KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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