SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种测试复合硅衬底上多层石墨烯样品层数的方法
谭平恒; 李晓莉; 韩文鹏; 乔晓粉
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2015-04-01
申请号CN201510151989.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27565
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谭平恒,李晓莉,韩文鹏,等. 一种测试复合硅衬底上多层石墨烯样品层数的方法.
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