| 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法 | |
| 王昊; 韩伟华; 杨富华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 微电子学 |
| 申请日期 | 2015-04-22 |
| 申请号 | CN201510192461.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27560 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王昊,韩伟华,杨富华. 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶（561KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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