SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法
王昊; 韩伟华; 杨富华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2015-04-22
申请号CN201510192461.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27560
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王昊,韩伟华,杨富华. 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法.
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基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶(561KB) 限制开放使用许可请求全文
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