| 基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法 | |
| 洪文婷; 韩伟华; 吕奇峰; 杨富华 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-22 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Application Date | 2015-05-11 |
| Application Number | CN201510236328.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27505 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 洪文婷,韩伟华,吕奇峰,等. 基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管（1297KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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