SiC基HEMT器件的制备方法
申占伟; 张峰; 赵万顺; 王雷; 闫果果; 刘兴昉; 孙国胜; 曾一平
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-07-15
申请号CN201510416658.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27497
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
申占伟,张峰,赵万顺,等. SiC基HEMT器件的制备方法.
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SiC基HEMT器件的制备方法.pdf(882KB) 限制开放使用许可请求全文
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