| 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 | |
| 安平博; 张硕; 赵丽霞; 段瑞飞; 路红喜; 王军喜; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2014-11-18 |
| 申请号 | CN201410658716.0 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27463 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安平博,张硕,赵丽霞,等. 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的（489KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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