SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法
安平博; 张硕; 赵丽霞; 段瑞飞; 路红喜; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-11-18
申请号CN201410658716.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27463
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
安平博,张硕,赵丽霞,等. 一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的(489KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[安平博]的文章
[张硕]的文章
[赵丽霞]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[安平博]的文章
[张硕]的文章
[赵丽霞]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[安平博]的文章
[张硕]的文章
[赵丽霞]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。