SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法
刘炜; 赵德刚; 陈平; 刘宗顺; 朱建军; 江德生
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-08-24
申请号CN201510522409.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27441
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘炜,赵德刚,陈平,等. 基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法.
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基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制(353KB) 限制开放使用许可请求全文
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