SEMI OpenIR  > 光电子器件国家工程中心
冷却小通道热沉
井红旗; 仲莉; 倪羽茜; 张俊杰; 刘素平; 马骁宇
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2015-08-25
申请号CN201510526353.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27440
专题光电子器件国家工程中心
推荐引用方式
GB/T 7714
井红旗,仲莉,倪羽茜,等. 冷却小通道热沉.
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