基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 | |
付英春; 马刘红; 杨富华; 王晓峰; 周亚玲; 杨香; 王晓东 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
Date Available | 2016-09-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2015-12-03 |
Application Number | CN201510881248.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27407 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 付英春,马刘红,杨富华,等. 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法. |
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基于锥形衬底的相变存储器的制备方法.pd(523KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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