| 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法 | |
| 付英春; 马刘红; 杨富华; 王晓峰; 周亚玲; 杨香; 王晓东 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Application Date | 2015-12-03 |
| Application Number | CN201510881248.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27407 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 付英春,马刘红,杨富华,等. 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 基于锥形衬底的相变存储器的制备方法.pd（523KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment