一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 | |
李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
Date Available | 2016-09-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 微电子学 |
Application Date | 2014-06-17 |
Application Number | CN201410270490.7 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27398 |
Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李迪,贾利芳,何志,等. 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法. |
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一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法(982KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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