| 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 | |
| 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2015-12-08 |
| Application Number | CN201510892854.X |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27361 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王晓亮,闫俊达,李百泉,等. 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品. |
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| 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其（508KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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