| 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 | |
| 赵丹梅; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-09-02 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2014-07-16 |
| Application Number | CN201410337785.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27351 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵丹梅,赵德刚,江德生,等. 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成Ga（375KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment