一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 | |
赵丹梅; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
Date Available | 2016-09-02 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 光电子学 |
Application Date | 2014-07-16 |
Application Number | CN201410337785.1 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27351 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 赵丹梅,赵德刚,江德生,等. 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成Ga(375KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment