| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 | |
| 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2016-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2014-12-31 |
| Application Number | CN201410851645.6 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27216 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘胜北,何志,刘斌,等. 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种H_sub_2__sub_微刻蚀进行（349KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment