| GaN HEMT 基础问题研究 | |
| 何晓光 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 赵德刚 |
| 2016-05-28 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| 学科领域 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2016-06-02 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27154 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何晓光. GaN HEMT 基础问题研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 何晓光 博士论文.pdf（12727KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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