| GaN HEMT 基础问题研究 | |
| 何晓光 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 赵德刚 |
| 2016-05-28 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| Subject Area | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| Date Available | 2016-06-02 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27154 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 何晓光. GaN HEMT 基础问题研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2016. |
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