| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 | |
| 刘炜 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 赵德刚 |
| 2016-05-28 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子与固体电子学 |
| Subject Area | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 |
| Date Available | 2016-06-01 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27142 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘炜. 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2016. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 博士论文-刘炜-final.pdf（3916KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment