| 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 | |
| 付英春 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 杨富华 ; 王晓峰 |
| 2015-06-02 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | 相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Date Available | 2015-06-03 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26588 |
| Collection | 半导体集成技术工程研究中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 付英春. 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 付英春-博士论文.pdf（2634KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment