| 硅衬底氮化镓材料制备生长研究 | |
| 冯玉霞 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 杨少延 |
| 2015-06-01 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 材料物理与化学 |
| Keyword | Si衬底 Aln Gan 生长机制 应力 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Date Available | 2015-06-02 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26568 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 冯玉霞. 硅衬底氮化镓材料制备生长研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2015. |
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