| 硅衬底氮化镓材料制备生长研究 | |
| 冯玉霞 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 杨少延 |
| 2015-06-01 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 关键词 | Si衬底 Aln Gan 生长机制 应力 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2015-06-02 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26568 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯玉霞. 硅衬底氮化镓材料制备生长研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2015. |
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