| Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 | |
| 赵丹梅 | |
| Subtype | 硕士 |
| Thesis Advisor | 赵德刚 |
| 2015-05-29 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | Gan Mocvd |
| Date Available | 2015-06-02 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26534 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵丹梅. Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 终稿0 毕业论文--赵丹梅.pdf（2499KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment