| 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究 | |
| 温娟娟 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 王启明 ; 成步文 |
| 2015-05-28 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | Goi Rmg 光致发光 晶格旋转 Si-ge互扩散 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Date Available | 2015-06-01 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26517 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 温娟娟. 快速熔融法制备Si基Ge-on-insulator结构基础研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
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| 毕业论文最终版-温娟娟-20150601（8079KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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