| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 | |
| 季海铭; 罗帅; 杨涛 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-05-01 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-02-04 |
| Application Number | CN201310043881.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25881 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 季海铭,罗帅,杨涛. 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱（292KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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