| 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法 | |
| 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-06-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2013-02-27 |
| 申请号 | CN201310061427.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25878 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马平,王军喜,王国宏,等. 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及（796KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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