制备硅基微电极的方法 | |
裴为华; 陈三元; 归强; 陈弘达 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-05-15 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 光电子学 |
Application Date | 2013-02-28 |
Application Number | CN201310062478.2 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25868 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 裴为华,陈三元,归强,等. 制备硅基微电极的方法. |
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制备硅基微电极的方法.pdf(436KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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