SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
低损伤GaN基LED芯片的制作方法
李璟; 王国宏; 孔庆峰; 詹腾
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-05-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-03-04
申请号CN201310067790.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25856
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李璟,王国宏,孔庆峰,等. 低损伤GaN基LED芯片的制作方法.
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