| 低损伤GaN基LED芯片的制作方法 | |
| 李璟; 王国宏; 孔庆峰; 詹腾 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-05-22 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2013-03-04 |
| Application Number | CN201310067790.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25856 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李璟,王国宏,孔庆峰,等. 低损伤GaN基LED芯片的制作方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 低损伤GaN基LED芯片的制作方法.pd（421KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment