低损伤GaN基LED芯片的制作方法 | |
李璟; 王国宏; 孔庆峰; 詹腾 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-05-22 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2013-03-04 |
Application Number | CN201310067790.0 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25856 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李璟,王国宏,孔庆峰,等. 低损伤GaN基LED芯片的制作方法. |
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