| 高压发光二极管芯片及其制造方法 | |
| 郭金霞; 闫建昌; 伊晓燕; 田婷; 詹腾; 赵勇兵; 宋昌斌; 王军喜 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-07-03 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2013-03-21 |
| Application Number | CN201310091232.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25829 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭金霞,闫建昌,伊晓燕,等. 高压发光二极管芯片及其制造方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 高压发光二极管芯片及其制造方法.pdf（429KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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