高压发光二极管芯片及其制造方法 | |
郭金霞; 闫建昌; 伊晓燕; 田婷; 詹腾; 赵勇兵; 宋昌斌; 王军喜 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-07-03 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体器件 |
Application Date | 2013-03-21 |
Application Number | CN201310091232.8 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25829 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郭金霞,闫建昌,伊晓燕,等. 高压发光二极管芯片及其制造方法. |
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