| 硅基锗激光器及其制备方法 | |
| 刘智; 成步文; 李传波; 李亚明; 薛春来; 左玉华; 王启明 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-12-04 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2013-08-08 |
| Application Number | CN201310342715.0 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25814 |
| Collection | 光电系统实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘智,成步文,李传波,等. 硅基锗激光器及其制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 硅基锗激光器及其制备方法.pdf（1504KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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