| 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法 | |
| 张灿; 朱洪亮; 梁松 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-11-27 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-08-22 |
| Application Number | CN201310370281.5 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25802 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张灿,朱洪亮,梁松. 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯片的方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 利用量子阱混杂制作多波长光子集成发射器芯（1031KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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