沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法
郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-12-11
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-08-28
申请号CN201310380403.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25786
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
郑柳,孙国胜,张峰,等. 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法.
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法.(544KB) 限制开放使用许可请求全文
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