| 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法 | |
| 魏同波; 吴奎; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2014-05-14 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2014-01-30 |
| Application Number | CN201410044167.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25776 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 魏同波,吴奎,王军喜,等. 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器（461KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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