SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
氧化物膜的制备方法
王晓峰; 尹玉华; 李丽娟; 霍自强; 王军喜; 李晋闽; 曾一平
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-05-07
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-02-08
申请号CN201410045815.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25775
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓峰,尹玉华,李丽娟,等. 氧化物膜的制备方法.
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